渦流探傷技術在電阻檢測方向上的運用

發(fā)布日期：2021-06-11      瀏覽次數(shù)：1238

渦流探傷技術在電阻檢測方向上的運用

 渦流檢測是建立在電磁感應原理基礎之上的一種無損檢測方法，它適用于導電材料。當把一塊導體置于交變磁場之中，在導體中就有感應電流存在，即產(chǎn)生渦流。由于導體自身各種因素（如電導率、磁導率、形狀，尺寸和缺陷等）的變化，會導致渦流的變化，利用這種現(xiàn)象判定導體性質，狀態(tài)的檢測方法，叫渦流檢測。



日本napson渦流式電阻檢測儀EC-80P

產(chǎn)品特點

• 只需觸摸手持式探頭即可進行電阻測量。
• 在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
• 使用JOG撥盤輕松設置測量條件
• 連接到連接器的電阻測量探針是可更換的，因此它支持廣泛的電阻。
• （電阻探頭：z多可以使用2 + PN判斷探頭）

• 測量規(guī)格

  測量目標

  相關（硅，多晶硅，碳化硅等）半導體/太陽能電池材料
  的新材料/相關功能性材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
  導電薄膜相關的（金屬，ITO等）
  硅基外延離子注入的樣品
  化合物與半導體有關的（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
  其他（*請與我們聯(lián)xi）

  測量尺寸

  無論樣品大小和形狀如何均可進行測量（但是，大于20mmφ且表面平坦）

  測量范圍

  [電阻率] 1 m至200Ω·cm
  （*所有探頭類型的總范圍/厚度500 um）
  [抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
  （*所有探頭類型的總范圍）

  *有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內容。
  （1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
  0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
  （3 ））高：10至1000Ω/□（ 0.5至60Ω-??cm）
  （4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
  （5）太陽能晶片：5至500Ω/□（0. 2至15Ω-cm）